Александр Сергеев посетил Институт физики полупроводников СО РАН

16087В рамках визита в Новосибирск глава РАН Александр Сергеев посетил Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН - головную организацию проекта "Квантовые структуры для посткремниевой электроники.

Участники надеются установить фундаментальные физические закономерности квантовых и топологических полупроводниковых материалов, гетеросистем и структур, а главное, определить возможности их использования для перспективной посткремниевой электроники на новых физических принципах. 

В Институте президент РАН встретился с экс-председателем Сибирского отделения РАН, ученым-физиком Александром Асеевым. Александр Леонидович отметил, что разработки института очень востребованы. Сегодня Александр Асеев возглавляет отдел физики и технологии полупроводников пониженной размерности, микро- и наноструктур - один из ключевых в Институте физики полупроводников. 

Директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН Александр Латышев рассказал о первых результатах проекта. Уже разработаны основы технологии базовых наноэлементов для компьютеров нового поколения, динамически управляемых метаматериалов и плазмонных наноприборов. Среди участников проекта: Новосибирский государственный университет, Институт прикладной физики РАН, Санкт-Петербургский государственный университет, Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН.

"Наличие подобных проектов - большой плюс. Ведь речь идет не только об объединении научных ресурсов, но и объединении технологий, приборной базы", - отметил Латышев. "Нас окружает цифровая трансформация. В основе всех достижений лежит элементная база, на которой всё это выполнено. Основа всего - транзистор. Современные тенденции связаны с уменьшением геометрического размера транзистора. Уже создаются микросхемы, основанные на 50-ти млрд транзисторах". 

Одной из основных технологий современной полупроводниковой электроники считается молекулярно-лучевая эпитаксия. Специфика метода характеризуется осаждением испарённого в молекулярном источнике вещества на кристаллическую подложку. Несмотря на достаточно простую идею, реализация данной технологии требует чрезвычайно сложных технических решений, как пишет электронное периодическое издание «Научная Россия».


Подписывайтесь на нашу страницу новостей "НИА-Новосибирск" в telegram.

Мы в популярных социальных сетях